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电子元器件详细资料 » IC[21878] » IRFH6200TRPBF
型号:IRFH6200TRPBF类别:FET - 单制造商:International Rectifier
封装:8-PowerVQFN描述:MOSFET N-CH 20V 100A 8-PQFN

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 20V 100A 8-PQFN
系列HEXFET®
制造商International Rectifier
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C45A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C1.2 毫欧 @ 50A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.1V @ 150µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs230nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds10890pF @ 10V
功率_最大3.6W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerVQFN
供应商设备封装PQFN(5x6)
包装带卷 (TR)

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
中科航芯(深圳)科技有限公司李18927479189
上海齐创科技有限公司(上海青岛北京)李小姐/郭先生/钱先生-本公司可开具13%增值税发票021-62153656青岛0532-82001686军工专家真诚为您服务
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