型号:IRFH6200TRPBF | 类别:FET - 单 | 制造商:International Rectifier |
封装:8-PowerVQFN | 描述:MOSFET N-CH 20V 100A 8-PQFN |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 20V 100A 8-PQFN |
系列 | HEXFET® |
制造商 | International Rectifier |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 45A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 1.2 毫欧 @ 50A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1.1V @ 150µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 230nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 10890pF @ 10V |
功率_最大 | 3.6W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
供应商设备封装 | PQFN(5x6) |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
中科航芯(深圳)科技有限公司 | 李18927479189 |
上海齐创科技有限公司(上海青岛北京) | 李小姐/郭先生/钱先生-本公司可开具13%增值税发票021-62153656青岛0532-82001686军工专家真诚为您服务 |
深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
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